한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 총괄 부사장이 21일 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 삼성전자 부스를 방문해 부스에 있던 직원들과 함께 찍은 사진을 공유했다. (자료=한진만 삼성전자 부사장 SNS 캡쳐)

[한국정경신문=이정화 기자] 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 삼성전자의 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM3E에 친필 사인을 남겼다.

21일 업계에 따르면 황 CEO는 미국 새너제이에서 열리는 연례 개발자 콘퍼런스 GTC 2024에 마련된 삼성전자 부스를 찾았다.

한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 총괄 부사장은 이날 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 황 CEO가 삼성전자 부스를 방문해 부스에 있던 직원들과 함께 찍은 사진을 공유했다.

부스에 전시된 HBM3E 12H(High·12단 적층) 제품에 황 CEO가 남긴 사인을 찍은 사진도 함께 올렸다. 황 CEO는 '젠슨 승인'이라고 적었다.

삼성전자는 이번에 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 HBM인 HBM3E 실물을 전시했다.

24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 제품이다.

삼성전자는 HBM3E를 상반기 양산한다.

한 부사장은 "삼성의 HBM3E에 대한 황 CEO의 개인 승인 도장을 보게 돼 기쁘다"며 "삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다"고 말했다.

한국정경신문 이정화 기자 joyfully3355@naver.com 이정화 기자의 기사 더보기

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