SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다. (자료=SK하이닉스)

[한국정경신문=임윤희 기자] SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다. 이로써 차세대 D램 메모리 생산 거점 구축이 본격화된다.

25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 용인시가 예정보다 신속하게 인허가 절차를 진행하면서 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 착공이 계획보다 앞당겨졌다. 지난 21일 건축 허가가 승인되면서 본격 착공에 들어갔다.

용인시는 지난해 4월 SK하이닉스와 '생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약'을 체결하고 건축허가 태스크포스를 구성해 인허가 절차에 속도를 냈다. 이로 인해 SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹의 착공을 앞당길 수 있었다.

용인 반도체 클러스터는 총 415만m²(약 126만평) 규모의 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라 부지 12만평으로 조성된다.

SK하이닉스는 이곳에 총 4기의 팹을 순차적으로 건설할 계획이다. 첫 번째 팹은 2027년 5월 준공을 목표로 하고 있다.

SK하이닉스 용인캠퍼스는 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적시에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도한다.

또한 클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행한다.

SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 따라 차세대 반도체 생산을 위한 기반을 마련하고 있다.

SK하이닉스는 용인 팹 외에도 늘어나는 HBM 수요에 대응하기 위해 올해 말 준공을 목표로 청주에 HBM 생산기지인 M15X를 짓는 등 생산능력을 확대하고 있다.

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