25일 오전 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 관계자들이 3나노 웨이퍼를 공개하고 있다. [자료=연합뉴스]

[한국정경신문=강헌주 기자] 삼성전자가 세계 반도체시장에서 최초로 ‘3나노 시대’를 활짝 열어 제치며 경쟁업체와 기술 초격차에서 한 발 더 앞서 나갔다.

삼성전자는 25일 세계 최초로 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노미터(㎚,10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 제품 출하식을 열었다.

이에 따라 차세대 파운드리(반도체 위탁 생산) 산업에서 대만 TSMC를 제치고 1위로 부상할 주춧돌을 마련했다는 평가가 업계에서 나오고 있다.

이날 출하식 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 반도체(DS) 부문 사장을 비롯해 임직원, 협력사 관계자 등 100여 명이 참석했다.GAA는 기존 핀펫(FinFET)보다 칩 면적을 축소하고 소비 전력도 줄인 기술이다.

삼성전자의 3나노 파운드리 제품 양산은 각각 올 하반기, 내년 하반기를 양산 목표 시점으로 내세운 TSMC·인텔보다 한참 빠른 일정이다.경계현 사장은 이날 행사에서 “삼성전자가 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”고 밝혔다.

25일 오전 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사, 이창양 산업통상자원부 장관, 최시영 사업부장(왼쪽부터)이 기념촬영을 하고 있다. [자료=연합뉴스]

삼성전자는 7나노와 5나노 제품 양산하면서 공식 출하식을 연 적이 없다. 그러나 이번에 출하식 형태의 공식 행사를 연 것은 다소 이례적이라는 평가다. 이는 최근 삼성전자의 3나노 공정 개발과 관련해 부정적 전망을 쏟아낸 경쟁국 대만, 일본에 대한 맞대응한 것으로 해석된다. 대만과 일본 언론은 ‘삼성전자가 첨단 공정 경쟁에서 TSMC에 밀릴 것이며 3나노 공정도 수율(합격품 비율)에 문제가 있다’는 취지로 보도해 왔다.

삼성전자는 이날 3나노 신공정 제품 출하를 공개하면서 수율 확보 등 개발에서 양산에 이르기까지의 과정을 상세히 공개했다. 지난해 100곳 이상의 파운드리 고객사를 확보한 삼성전자는 3나노 신공정을 통해 2026년까지 고객사 300곳 이상을 확보하겠다는 계획이다.

일본과 대만의 경쟁업체들이 그동안 삼성전자의 3나노 공정 개발과 관련해서 의심을 표시하며 평가절하는 속내에는 향후 파운드리 시장에서 주도권을 빼앗길 수 있다는 불안감 때문이다.

최근 윤석열 정부가 반도체산업 육성의지를 강하게 표출하는 상황에서 이번 3나노 파운드리 양산은 삼성전자의 화답일 수 있다.

한국정경신문 강헌주 기자 lemosu@naver.com 강헌주 기자의 기사 더보기

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