[한국정경신문=임윤희 기자] SK하이닉스의 반도체 핵심기술을 중국 경쟁업체에 유출한 혐의로 협력사 임원들이 대법원에서 실형을 확정받았다.

대법원 제1부는 12일 산업기술의유출방지및보호에관한법률 위반·부정경쟁방지법 위반등 혐의로 기소된 무진전자 부사장 A씨 사건에서 징역 1년 6개월을 선고한 원심판결을 확정했다.

SK하이닉스 HBM3E 16단 (사진=SK하이닉스)

함께 기소된 연구소장, 영업그룹장 등 임직원 3명도 각각 징역 1년~1년 6개월의 실형을 확정받았다. 무진전자 법인에는 벌금 10억원이 선고됐다.

이들은 2018년 8월부터 2020년 6월까지 SK하이닉스와 협력하며 알게 된 차세대 반도체 제조기술과 세정 장비 관련 핵심 정보를 중국 반도체 업체에 유출한 혐의로 재판에 넘겨졌다.

유출된 HKMG 기술은 D램 반도체의 속도를 높이고 전력 소모를 줄이는 최신 공정으로 국가 핵심기술로 분류된다.

이들은 삼성전자 자회사인 세메스의 전직 직원들을 통해 몰래 취득한 세메스의 초임계 세정 장비 도면 등 반도체 첨단기술과 영업비밀을 활용해 중국 수출용 장비를 개발한 혐의도 함께 적용됐다.

1심 재판부는 신 씨에게 징역 1년을 선고했으나 2심에서는 SK하이닉스와 공동 개발한 기술정보 유출 혐의까지 유죄로 인정해 형량을 1년 6개월로 늘렸다.

대법원은 "원심 판단에 법리 오해가 없다"며 양측 상고를 모두 기각했다.

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