[한국정경신문=최태원 기자] SK하이닉스가 지난해 연구개발비로 3조원 이상을 지출했다. 

SK하이닉스 연결감사보고서에서 지난 2019년 한 해 동안 연구개발비로 총 3조1885억원을 지출했다고 27일 공시했다. SK하이닉스가 3조원 이상의 연구비를 지출한 것은 이번이 처음이다.

이는 지난 2018년보다 10% 늘어난 규모로 역대 최대 지출액이다. 매출액 대비 비중도 전년(7%)보다 5%p(포인트) 늘어난 12%를 기록했다.

SK하이닉스는 지난해 2조7127억원의 영업이익을 냈다. 전년 대비 87%나 급감했다. 하지만 기술 투자는 줄이지 않은 셈이다.

SK하이닉스는 지난 2019년 10월 3세대 10나노급(1z) 16Gb(기가비트) 더블데이터레이트(DDR)4 D램을 개발하는 등 차세대 기술 선점을 위해 적극적인 투자를 하고 있다.

지난 2019년 6월에는 128단 4D 낸드플래시를 양산하기 시작했다. 이어 8월에는 고대역폭 메모리(HBM·High Bandwidth Memory)인 'HBM2E D램' 개발에 성공했다. 이어 9월에는 이미지센서 강국 일본에 차세대 CIS 연구개발센터를 개소하기도 했다.

글로벌 1위 반도체 기업 삼성전자 역시 지난해 사상 처음으로 20조원 이상의 연구개발비를 지출한 바 있다. 

한국정경신문 최태원 기자 ctw0104@gmail.com 최태원 기자의 기사 더보기

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